狼当 发表于 2008-7-9 22:05:25

培养基的配方

http://search.cnpat.com.cn/Search/images/xxzx.jpg中国专利信息中心 中国专利数据库检索系统建议[保存本专利] [主附图] [公开说明书] [授权说明书]                                  -->                              -->申请号:200310111452申请日:2003/11/25 公开日:2004/11/10 公告日:2006/10/04 公开号:1543778公告号:1277465授权日:2006-10-4授权公告日:2006-10-4专利类别:发明 国别省市代码:83[中国|武汉]代理机构代码:42001[对照表]代理人:王敏锋发明名称:一种兰花快速繁殖的方法国际分类号:A01H 4/00范畴分类号:12A18H发明人:杨波;李洪林;付志惠;李琼申请人:中国科学院武汉植物研究所申请人地址:湖北省武汉市武昌磨山邮编:430074文摘:本发明公开了一种兰花快速繁殖的方法,它包括下列步骤:首先将兰花芽放置增殖培养基中,使芽不断地进行增殖,芽增殖培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成分的物质;其次是光照培养,温度为20-28℃,光强1500-3000lx,每天光照;第三是壮苗培养,用改良MS基本培养基和附加不同成分的物质;第四是光照培养;第五是生根培养,将苗接入生根培养基中。本发明方法简便,操作方便,工作效率高,成本低。主权利要求:一种兰花快速繁殖的方法,包括下列步骤:    A、将兰花芽放置增殖培养基中,兰花芽增殖的培养基为改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS基本培养基为,单位:mg/L:    NH↓[4]NO↓[3]  550~850    KNO↓[3]  600~1000    CaCl↓[2].2H↓[2]O  150~250    MgSO↓[4].7H↓[2]O  100~200    KH↓[2]PO↓[4]  50~90    KI  0.2~0.5    H↓[3]BO↓[3]  2.00~3.0    MnSO↓[4].4H↓[2]O  7.0~12.0    ZnSO↓[4].7H↓[2]O  2.5~4.5    Na↓[2]MoO↓[4].2H↓[2]O  0.08~0.125    CuSO↓[4].5H↓[2]O  0.008~0.0125    CoCl↓[2].6H↓[2]O  0.008~0.0125    FeSO↓[4].7H↓[2]O  9.0~14.0    Na↓[2].EDTA.2H↓[2]O  12.00~18.00    肌醇  100    烟酸  0.5    盐酸吡哆醇  0.5    盐酸硫胺素  0.1    甘氨酸  2,附加成份为6-苄氨基嘌呤3~10mg/L、萘乙酸0.5~5mg/L、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L、活性炭0.3~0.5%混配;    B、光照培养,温度为20~28℃,光强1500~3000Lx,每天光照10~16小时,每30~40天扩繁一次;    C、壮苗培养,壮苗培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS基本培养成份与芽的基本培养基相同,附加成份为6-苄氨基嘌呤0~2mg/L、萘乙酸0.5~2mg/L、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L、香蕉泥5~10%、活性炭0.3~0.5%混配;    D、光照培养,温度为20~28℃,光强1500~3000Lx,每天光照10~16小时;    E、生根培养,将3~6cm高的苗接入配制好的生根培养基中,这种生根培养基包括改良MS基本培养基和附加不同成份的物质,改良MS培养基的成份与芽的基本培养基相同,附加成份为NAA1~3mg/L、活性碳0.3~0.5%、琼脂6000~8000mg/L、糖20000~30000mg/L混配;在温优先权项:PCT 项法律状态:[免责声明] 有谁可以搞懂这些,那就是高手了

狼当 发表于 2008-7-9 22:06:06

反正我是不懂

兰江 发表于 2008-7-9 22:39:54

这不是高手不高的手事,这是转业人员的事,要是你干这项工作的,一定也能搞懂.

桃园北极星 发表于 2008-7-10 00:08:44

Re:培養基的配方

呵呵呵~這種培養基台灣早就有了 多數用在洋蘭無性繁殖 國蘭也行

gzas 发表于 2008-7-10 09:05:37

我不是高手,但是我看懂了!光有培养基是不行的,还需要一套完整的消毒灭菌的设备!

funwang 发表于 2008-7-10 09:10:31

智者见智,任者见任。
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